ASTM D2582-2007 塑料薄膜和薄板的抗刺孔撕裂扩展性的标准试验方法

时间:2024-05-11 13:27:50 来源: 标准资料网 作者:标准资料网 阅读:8535
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【英文标准名称】:StandardTestMethodforPuncture-PropagationTearResistanceofPlasticFilmandThinSheeting
【原文标准名称】:塑料薄膜和薄板的抗刺孔撕裂扩展性的标准试验方法
【标准号】:ASTMD2582-2007
【标准状态】:现行
【国别】:
【发布日期】:2007
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(ASTM)
【起草单位】:D20.19
【标准类型】:(TestMethod)
【标准水平】:()
【中文主题词】:箔;塑料;铁路;撕裂强度;测试
【英文主题词】:plasticfilm;plasticsheeting;puncturepropagation;slittear;snagging;tearresistance;"V"tear;
【摘要】:Thepuncture-propagationofteartestmeasurestheresistanceofamaterialtosnagging,ormoreprecisely,todynamicpunctureandpropagationofthatpunctureresultinginatear.Failuresduetosnaggingoccurinavarietyofenduses,includingindustrialbags,liners,andtarpaulins.TheunitsreportedinthistestmethodareNewtons(tearresistance).Experiencehasshownthatformanymaterialspuncturedoesnotcontributesignificantlytotheforcevaluedetermined,duetothesharpnessofthepropagatingprobeused.However,comparingtheresultsofprepuncturedtestspecimenswithnormalnonpuncturedspecimenswillgiveanindicationoftheextentofanypunctureresistanceinthereportedresult.Formanymaterials,theremaybeaspecificationthatrequirestheuseofthistestmethod,butwithsomeproceduralmodificationsthattakeprecedencewhenadheringtothespecification.Therefore,itisadvisabletorefertothatmaterialspecificationbeforeusingthistestmethod.Table1ofClassificationSystemD4000liststhecurrentASTMmaterialsstandards.1.1Thistestmethodcoversthedeterminationofthedynamictearresistanceofplasticfilmandthinsheetingsubjectedtoend-usesnagging-typehazards.1.2ThevaluesstatedinSIunitsaretoberegardedasthestandard.Thevaluesgiveninparenthesesareforinformationonly.Thisstandarddoesnotpurporttoaddressallofthesafetyconcerns,ifany,associatedwithitsuse.Itistheresponsibilityoftheuserofthisstandardtoestablishappropriatesafetyandhealthpracticesanddeterminetheapplicabilityofregulatorylimitationspriortouse.Note1ThereisnoequivalentISOtestmethod.
【中国标准分类号】:G33
【国际标准分类号】:83_140_10
【页数】:5P.;A4
【正文语种】:


基本信息
标准名称:3DG152型NPN硅外延平面超高频低噪声小功率三极管
英文名称:Detail specification for silicon NPN epitaxial planar superhigh frequency low noise low power transistors,Type 3DG152
中标分类: 能源、核技术 >> 能源、核技术综合 >> 技术管理
发布日期:1983-01-14
实施日期:1983-10-01
首发日期:1900-01-01
作废日期:2010-01-20
出版日期:1900-01-01
页数:3页
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所属分类: 能源 核技术 能源 核技术综合 技术管理